+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4WS
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
TP65H050G4WS
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Трубка
6713
1
: $14.3600
: 6713

1

$14.3600

$14.3600

30

$11.6200

$348.6000

120

$10.9400

$1,312.8000

510

$9.9100

$5,054.1000

1020

$9.0900

$9,271.8000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4WS
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
-
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Трубка
6713
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядSuperGaN®
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C34A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)119W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1000 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0