+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
TP65H050WS
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Трубка
6817
1
: $17.6700
: 6817

1

$17.6700

$17.6700

30

$14.3000

$429.0000

120

$13.4600

$1,615.2000

510

$12.2000

$6,222.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
TP65H050WS
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Трубка
6817
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C34A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)119W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)12V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1000 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0