+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4LSGB-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
TP65H070G4LSGB-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
9481
1
: $5.7400
: 9481

1

$10.7900

$10.7900

10

$9.2500

$92.5000

100

$7.7100

$771.0000

500

$6.8000

$3,400.0000

1000

$6.1200

$6,120.0000

3000

$5.7400

$17,220.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4LSGB-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
9481
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядSuperGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C29A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.6V @ 700µA
Пакет устройств поставщика8-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds600 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0