+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
650 V 29 A GAN FET
TP65H070G4QS-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 29 A GAN
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $8.6100
: 6500

1

$8.6100

$8.6100

10

$7.3800

$73.8000

100

$6.1500

$615.0000

500

$5.4200

$2,710.0000

1000

$4.8800

$4,880.0000

2000

$4.5700

$9,140.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
-
Transphorm
650 V 29 A GAN
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C29A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTOLL
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds600 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0