+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LDG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LDG-TR
TP65H070LDG-TR
650 V 25 A GAN FET
TP65H070LDG-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 25 A GAN
-
Лента и катушка (TR)
8130
1
: $12.6200
: 8130

1

$12.6200

$12.6200

10

$11.1200

$111.2000

100

$9.6200

$962.0000

500

$8.7100

$4,355.0000

1000

$7.9900

$7,990.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LDG-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LDG-TR
TP65H070LDG-TR
-
Transphorm
650 V 25 A GAN
-
Лента и катушка (TR)
8130
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядTP65H070L
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds600 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0