+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
TP65H070LSG-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
18835
1
: $7.4400
: 18835

1

$8.8700

$8.8700

10

$7.8200

$78.2000

100

$7.4400

$744.0000

500

$7.4400

$3,720.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
18835
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядTP65H070L
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds600 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0