+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
650 V 13 A GAN FET
TP65H150G4LSG-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 13 A GAN
-
Лента и катушка (TR)
12387
1
: $2.3500
: 12387

1

$4.8200

$4.8200

10

$4.0500

$40.5000

100

$3.2700

$327.0000

500

$2.9100

$1,455.0000

1000

$2.4900

$2,490.0000

3000

$2.3500

$7,050.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
-
Transphorm
650 V 13 A GAN
-
Лента и катушка (TR)
12387
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C13A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)52W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 500µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds598 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0