+86-15869849588
TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
Номер запчасти 
Классификация продуктов 
Производитель
Тип 
Упаковка 
Упаковка 
Количество 
Состояние RoHS 
TP65H150G4LSG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GAN FET N-CH 65
-
Поднос
9334
Цены: $5.0600
Запасы : 9334
Всего 

Количество 

Цены

Номинальная цена 

1

$5.0600

$5.0600

10

$4.5400

$45.4000

100

$3.7200

$372.0000

500

$3.1700

$1,585.0000

1000

$2.6700

$2,670.0000

3000

$2.3500

$7,050.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG
Номер запчасти 
TP65H150G4LSG
Классификация продуктов 
-
Производитель
Transphorm
Тип 
GAN FET N-CH 65
Упаковка 
-
Упаковка 
Поднос
Количество 
9334
RoHS 
NO
Поделиться 
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C13A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)52W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 500µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds598 pF @ 400 V
Заказать консультацию 

Онлайновые услуги 

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис: 
+86-15869849588

Онлайновые услуги 

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис: 
0