+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4JSGB-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4JSGB-TR
TP65H300G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
TP65H300G4JSGB-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
10442
: $1.5600
: 10442

1

$3.2100

$3.2100

10

$2.7000

$27.0000

100

$2.1800

$218.0000

500

$1.9400

$970.0000

1000

$1.6600

$1,660.0000

2000

$1.5600

$3,120.0000

4000

$1.5600

$6,240.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4JSGB-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4JSGB-TR
TP65H300G4JSGB-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
10442
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядSuperGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C9.2A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs312mOhm @ 6.5A, 6V
Рассеиваемая мощность (макс.)41.6W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 500µA
Пакет устройств поставщика8-PQFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)±10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3.5 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds400 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0