+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4LSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4LSG-TR
TP65H300G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
TP65H300G4LSG-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Трубка
13007
: $3.5900
: 13007

1

$3.5900

$3.5900

10

$3.0100

$30.1000

100

$2.4400

$244.0000

500

$2.1700

$1,085.0000

1000

$1.8500

$1,850.0000

3000

$1.7500

$5,250.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4LSG-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4LSG-TR
TP65H300G4LSG-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Трубка
13007
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs312mOhm @ 5A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс.)21W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.6V @ 500µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)8V
ВГС (Макс)±18V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9.6 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds760 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0