1
$3.0800
$3.0800
10
$2.5800
$25.8000
100
$2.0900
$209.0000
500
$1.8600
$930.0000
1000
$1.5900
$1,590.0000
3000
$1.5000
$4,500.0000
6000
$1.4400
$8,640.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Transphorm |
| Ряд | SuperGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-VDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6.5A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 312mOhm @ 6.5A, 6V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 21W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.8V @ 500µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (8x8) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 6V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 730 pF @ 400 V |
