+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
TP65H480G4JSG-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
9315
: $2.9700
: 9315

1

$2.9700

$2.9700

10

$2.4900

$24.9000

100

$2.0200

$202.0000

500

$1.7900

$895.0000

1000

$1.5400

$1,540.0000

2000

$1.4500

$2,900.0000

4000

$1.4500

$5,800.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSG-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
9315
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс.)13.2W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 500µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)8V
ВГС (Макс)±18V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds760 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0