+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSGB-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSGB-TR
TP65H480G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
TP65H480G4JSGB-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
10426
: $1.3200
: 10426

1

$2.9200

$2.9200

10

$2.4300

$24.3000

100

$1.9300

$193.0000

500

$1.6300

$815.0000

1000

$1.3900

$1,390.0000

2000

$1.3200

$2,640.0000

4000

$1.3200

$5,280.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSGB-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSGB-TR
TP65H480G4JSGB-TR
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
10426
NO
TP65H480G4JSGB-TR
Transphorm
650V 480mΩ SuperGaN® FET in PQFN56
TP65H480G4JSGB-TR
Transphorm
478798
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядSuperGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs560mOhm @ 3A, 6V
Рассеиваемая мощность (макс.)13.2W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 500µA
Пакет устройств поставщика8-PQFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)±10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs5 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds414 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0