+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3205WSBQA
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
TPH3205WSBQA
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Трубка
6500
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3205WSBQA
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
-
Transphorm
GANFET N-CH 650
-
Трубка
6500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs62mOhm @ 22A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс.)125W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.6V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±18V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs42 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2200 pF @ 400 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0