+86-15869849588
TRS12V65H,LQ
G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8
TRS12V65H,LQ
Одиночные диоды
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 SIC-SBD 650V
-
Лента и катушка (TR)
11462
1
: $3.2800
: 11462

1

$3.2800

$3.2800

10

$2.7500

$27.5000

100

$2.2300

$223.0000

500

$1.9800

$990.0000

1000

$1.7000

$1,700.0000

2500

$1.6000

$4,000.0000

5000

$1.5300

$7,650.0000

image of Одиночные диоды>TRS12V65H,LQ
TRS12V65H,LQ
-
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 SIC-SBD 650V
-
Лента и катушка (TR)
11462
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-VSFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)0 ns
ТехнологииSiC (Silicon Carbide) Schottky
Емкость @ Вр, Ф778pF @ 1V, 1MHz
Ток – средний выпрямленный (Io)12A
Пакет устройств поставщика4-DFN-EP (8x8)
Рабочая температура - соединение175°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)650 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.35 V @ 12 A
Ток – обратная утечка @ Vr120 µA @ 650 V
captcha

+86-15869849588
0