+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
TW015Z120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
TW015Z120C,S1F
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 1200V SIC-MO
-
Трубка
6598
1
: $61.3300
: 6598

1

$61.3300

$61.3300

30

$53.8900

$1,616.7000

120

$50.1800

$6,021.6000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
TW015Z120C,S1F
-
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 1200V SIC-MO
-
Трубка
6598
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура175°C
ТехнологииSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs21mOhm @ 50A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс.)431W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id5V @ 11.7mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4L(X)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)18V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs158 nC @ 18 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6000 pF @ 800 V
captcha

+86-15869849588
0