+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>UF3C120080K4S
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>UF3C120080K4S
UF3C120080K4S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
UF3C120080K4S
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
UnitedSiC (Qorvo)
SICFET N-CH 120
-
Трубка
22973
1
: $11.8500
: 22973

1

$14.6300

$14.6300

30

$11.8500

$355.5000

120

$11.1500

$1,338.0000

510

$10.1100

$5,156.1000

1020

$9.2700

$9,455.4000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>UF3C120080K4S
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>UF3C120080K4S
UF3C120080K4S
-
UnitedSiC (Qorvo)
SICFET N-CH 120
-
Трубка
22973
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительUnitedSiC (Qorvo)
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Cascode SiCJFET)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C33A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 12V
Рассеиваемая мощность (макс.)254.2W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id6V @ 10mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)12V
ВГС (Макс)±25V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs43 nC @ 12 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1500 pF @ 100 V
captcha

+86-15869849588
0