+86-15869849588
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
UMD9N-13P
MOSFET
UMD9N-13P
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.0500
: 6500

10000

$0.0500

$500.0000

30000

$0.0500

$1,500.0000

50000

$0.0400

$2,000.0000

100000

$0.0400

$4,000.0000

250000

$0.0400

$10,000.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
UMD9N-13P
-
Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительMicro Commercial Components (MCC)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Частота – переход250MHz
Резистор — база (R1)10kOhms
Пакет устройств поставщикаSOT-363
captcha

+86-15869849588
0