+86-15869849588
  • image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
  • image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
WNSC2D12650TJ
DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
WNSC2D12650TJ
Одиночные диоды
WeEn Semiconductors Co., Ltd
DIODE SIL CARBI
-
Лента и катушка (TR)
9485
: $1.6500
: 9485

1

$3.4000

$3.4000

10

$2.8500

$28.5000

100

$2.3100

$231.0000

500

$2.0500

$1,025.0000

1000

$1.7600

$1,760.0000

3000

$1.6500

$4,950.0000

6000

$1.5900

$9,540.0000

image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
WNSC2D12650TJ
-
WeEn Semiconductors Co., Ltd
DIODE SIL CARBI
-
Лента и катушка (TR)
9485
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительWeEn Semiconductors Co., Ltd
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-VSFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)0 ns
ТехнологииSiC (Silicon Carbide) Schottky
Емкость @ Вр, Ф380pF @ 1V, 1MHz
Ток – средний выпрямленный (Io)12A
Пакет устройств поставщика5-DFN (8x8)
Рабочая температура - соединение175°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)650 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.7 V @ 12 A
Ток – обратная утечка @ Vr60 µA @ 650 V
captcha

+86-15869849588
0