+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10N3R5XT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10N3R5XT
XP10N3R5XT
FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
XP10N3R5XT
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
FET N-CH 100V 2
-
Лента и катушка (TR)
7500
1
: $3.4600
: 7500

1

$6.5200

$6.5200

10

$5.5900

$55.9000

100

$4.6600

$466.0000

500

$4.1100

$2,055.0000

1000

$3.7000

$3,700.0000

3000

$3.4600

$10,380.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10N3R5XT
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10N3R5XT
XP10N3R5XT
-
YAGEO XSEMI
FET N-CH 100V 2
-
Лента и катушка (TR)
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP10N3R5
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C28.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs134.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6480 pF @ 80 V
captcha

+86-15869849588
0