+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10NA011J
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10NA011J
XP10NA011J
MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
XP10NA011J
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Трубка
7500
1
: $2.0900
: 7500

1

$3.0700

$3.0700

80

$2.0900

$167.2000

560

$1.8600

$1,041.6000

1040

$1.5900

$1,653.6000

2000

$1.5000

$3,000.0000

5040

$1.4400

$7,257.6000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10NA011J
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10NA011J
XP10NA011J
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Трубка
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXS10NA011
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C48.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs11mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-251S
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs56 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2288 pF @ 80 V
captcha

+86-15869849588
0