+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN028YT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN028YT
XP10TN028YT
MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
XP10TN028YT
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
7500
1
: $1.0800
: 7500

1

$2.3900

$2.3900

10

$1.9900

$19.9000

100

$1.5800

$158.0000

500

$1.3400

$670.0000

1000

$1.1400

$1,140.0000

3000

$1.0800

$3,240.0000

6000

$1.0400

$6,240.0000

9000

$1.0000

$9,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN028YT
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN028YT
XP10TN028YT
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP10TN028
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C7.5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3.125W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 3 x 3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs23 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2160 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0