+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135H
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135H
XP10TN135H
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
XP10TN135H
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
7500
1
: $1.5800
: 7500

1

$1.5800

$1.5800

10

$1.2900

$12.9000

100

$1.0000

$100.0000

500

$0.8500

$425.0000

1000

$0.6900

$690.0000

3000

$0.6500

$1,950.0000

6000

$0.6200

$3,720.0000

9000

$0.5900

$5,310.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135H
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135H
XP10TN135H
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP10TN135
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs135mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs17.6 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds928 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0