+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP2306AGN
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP2306AGN
XP2306AGN
MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
XP2306AGN
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 30V
-
Лента и катушка (TR)
7340
1
: $0.4900
: 7340

1

$0.4900

$0.4900

10

$0.3800

$3.8000

100

$0.2300

$23.0000

500

$0.2100

$105.0000

1000

$0.1400

$140.0000

3000

$0.1300

$390.0000

6000

$0.1300

$780.0000

9000

$0.1100

$990.0000

30000

$0.1100

$3,300.0000

75000

$0.1100

$8,250.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP2306AGN
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP2306AGN
XP2306AGN
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 30V
-
Лента и катушка (TR)
7340
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs35mOhm @ 5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.38W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)±8V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1050 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0