+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N1R8MT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N1R8MT
XP3N1R8MT
FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
XP3N1R8MT
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
FET N-CH 30V 40
-
Лента и катушка (TR)
7485
1
: $1.3600
: 7485

1

$1.3600

$1.3600

10

$1.1100

$11.1000

100

$0.8700

$87.0000

500

$0.7300

$365.0000

1000

$0.6000

$600.0000

3000

$0.5600

$1,680.0000

6000

$0.5400

$3,240.0000

9000

$0.5100

$4,590.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N1R8MT
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N1R8MT
XP3N1R8MT
-
YAGEO XSEMI
FET N-CH 30V 40
-
Лента и катушка (TR)
7485
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP3N1R8
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.89mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs60 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4850 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0