+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N9R5AYT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N9R5AYT
XP3N9R5AYT
MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
XP3N9R5AYT
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 30V
-
Лента и катушка (TR)
7500
1
: $0.3700
: 7500

1

$0.9100

$0.9100

10

$0.7400

$7.4000

100

$0.5800

$58.0000

500

$0.4900

$245.0000

1000

$0.4000

$400.0000

3000

$0.3700

$1,110.0000

6000

$0.3600

$2,160.0000

9000

$0.3400

$3,060.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N9R5AYT
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N9R5AYT
XP3N9R5AYT
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 30V
-
Лента и катушка (TR)
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP3N9R5A
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C15A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3.57W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 3 x 3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs28.8 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1280 pF @ 15 V
captcha

+86-15869849588
0