+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3P020M
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3P020M
XP3P020M
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
XP3P020M
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET P-CH 30V
-
Лента и катушка (TR)
7498
1
: $0.4300
: 7498

1

$1.0400

$1.0400

10

$0.8500

$8.5000

100

$0.6600

$66.0000

500

$0.5600

$280.0000

1000

$0.4600

$460.0000

3000

$0.4300

$1,290.0000

6000

$0.4100

$2,460.0000

9000

$0.3900

$3,510.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3P020M
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3P020M
XP3P020M
-
YAGEO XSEMI
MOSFET P-CH 30V
-
Лента и катушка (TR)
7498
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP3P020
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C9.3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs20mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.5W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SO
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs19.2 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2080 pF @ 15 V
captcha

+86-15869849588
0