+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N2R5MT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N2R5MT
XP4N2R5MT
FET N-CH 40V 33.8A 125A PMPAK
XP4N2R5MT
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
FET N-CH 40V 33
-
Лента и катушка (TR)
7500
1
: $2.8100
: 7500

1

$2.8100

$2.8100

10

$2.3300

$23.3000

100

$1.8600

$186.0000

500

$1.5700

$785.0000

1000

$1.3300

$1,330.0000

3000

$1.2700

$3,810.0000

6000

$1.2200

$7,320.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N2R5MT
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N2R5MT
XP4N2R5MT
-
YAGEO XSEMI
FET N-CH 40V 33
-
Лента и катушка (TR)
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP4N2R5
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.55mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs112 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6080 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0