+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N4R2H
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N4R2H
XP4N4R2H
MOSFET N-CH 40V 75A TO252
XP4N4R2H
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 40V
-
Лента и катушка (TR)
7500
1
: $0.9600
: 7500

1

$2.1200

$2.1200

10

$1.7600

$17.6000

100

$1.4000

$140.0000

500

$1.1900

$595.0000

1000

$1.0100

$1,010.0000

3000

$0.9600

$2,880.0000

6000

$0.9200

$5,520.0000

9000

$0.8900

$8,010.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N4R2H
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4N4R2H
XP4N4R2H
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 40V
-
Лента и катушка (TR)
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP4N4R2
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C75A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs44.8 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4000 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0