+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
XP4NA1R4CMT-A
MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
XP4NA1R4CMT-A
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 45V
-
Лента и катушка (TR)
7500
1
: $4.3100
: 7500

1

$4.3100

$4.3100

10

$3.6200

$36.2000

100

$2.9300

$293.0000

500

$2.6000

$1,300.0000

1000

$2.2300

$2,230.0000

3000

$2.1000

$6,300.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
XP4NA1R4CMT-A
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 45V
-
Лента и катушка (TR)
7500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP4NA1R4C
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C49A (Ta), 223A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)45 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs75.2 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds7200 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0