+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP6N090N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP6N090N
XP6N090N
MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
XP6N090N
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 60V
-
Лента и катушка (TR)
7490
1
: $0.1400
: 7490

1

$0.4200

$0.4200

10

$0.3600

$3.6000

100

$0.2500

$25.0000

500

$0.2000

$100.0000

1000

$0.1600

$160.0000

3000

$0.1400

$420.0000

6000

$0.1400

$840.0000

9000

$0.1300

$1,170.0000

30000

$0.1200

$3,600.0000

75000

$0.1200

$9,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP6N090N
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP6N090N
XP6N090N
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 60V
-
Лента и катушка (TR)
7490
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP6N090
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2.5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.25W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs16 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds720 pF @ 15 V
captcha

+86-15869849588
0