+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP8NA1R2TL
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP8NA1R2TL
XP8NA1R2TL
MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
XP8NA1R2TL
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 80V
-
Лента и катушка (TR)
7498
1
: $14.9800
: 7498

1

$14.9800

$14.9800

10

$13.2000

$132.0000

100

$11.4100

$1,141.0000

500

$10.3400

$5,170.0000

1000

$9.4900

$9,490.0000

2000

$8.8300

$17,660.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP8NA1R2TL
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP8NA1R2TL
XP8NA1R2TL
-
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 80V
-
Лента и катушка (TR)
7498
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP8NA1R2
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C300A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTOLL
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)80 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs424 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds25120 pF @ 60 V
captcha

+86-15869849588
0