+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
ZXMP3A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
ZXMP3A16DN8TA
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2P-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
6678
1
: $0.7800
: 6678

1

$1.4400

$1.4400

10

$1.1800

$11.8000

100

$0.9200

$92.0000

500

$0.7800

$390.0000

1000

$0.6300

$630.0000

2500

$0.6000

$1,500.0000

5000

$0.5700

$2,850.0000

12500

$0.5400

$6,750.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
ZXMP3A16DN8TA
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2P-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
6678
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.8W
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4.2A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1022pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs45mOhm @ 4.2A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs29.6nC @ 10V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA (Min)
Пакет устройств поставщика8-SO
captcha

+86-15869849588
0